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下面为显示背光量子点扩散板专用的量子点母粒(QD Masterbatch)完整工业化制备工艺,从原料预处理到造粒包装全流程,可直接用于产线设计 / 工艺文件。 默认体系:CdSe/ZnS QD + PMMA/PS 基材,氮气保护双螺杆造粒。
功能:高浓度、高分散、耐加工、防水氧的量子点浓缩母粒
典型浓度:500~3000 ppm QD(可定制)
最终用途:三层共挤 QD 扩散板中层发光层
关键要求:
无团聚、无黑点、无荧光猝灭
熔体指数匹配基材(PMMA/PS)
85℃/85% RH 稳定性优异
红光 QD:CdSe/ZnS(波长620~635 nm)
绿光 QD:CdSe/ZnS (波长530~540 nm)
形态:辛烷/IBOA浓缩液(浓缩液中QD含量~10%)
PMMA(光学级):MFR 2~8 g/10min
GPPS:MFR 5~10 g/10min
作用:提供加工流动性与光学基体
分散剂
马来酸酐接枝聚合物、硅烷偶联剂、低分子量 PMMA
用量:0.5~2.0%
抗氧体系
主抗氧:1010、1076
辅抗氧:168
总用量:0.2~0.5%
水氧阻隔助剂(可选)
分子筛吸水剂、受阻胺光稳定剂
用量:0.1~0.3%
消泡 / 脱溶剂助剂(浆体 QD 必加)
低挥发有机脱挥剂
用量:0.1%
高混初分散 → 双螺杆挤出(氮气保护 + 脱挥)→ 水冷拉条 → 风干 → 切粒 → 筛分 → 真空包装 → 避光入库
配方比例示例(PMMA 母粒):
PMMA:96.5~98.5%
QD 浓缩液:绿色母粒(1.0~3.0%),红色母粒(0.5~1%)
分散剂:0.5~1.5%
抗氧剂:0.2%
工艺:
转速:高速 600~1000 rpm
时间:5~10 min
长径比 L/D ≥ 40:1
2~3 级真空脱挥
全程氮气密封(氧含量<50ppm)
强剪切分散段 + 温和输送段
1 区:80℃ 2 区:100℃ 3 区:120℃ 4 区:140℃ 5 区:160℃ 6 区:180℃ 7 区:200℃ 8 区:220℃ 9 区:220℃ 模头:210~220℃
严格控制:最高温度≤230℃,熔体停留时间<2min超过会导致 QD 热猝灭、荧光下降、黑点产生
前段:输送
中段:强剪切分散块(分散 QD)
后段:温和输送 + 脱挥
真空度:-0.09~-0.095MPa
主机电流:稳定
熔体压力:100~160bar
喂料均匀,无断条
水温:20~40℃
拉条速度与挤出匹配
强力风吹干表面水分(严禁水分带入切粒)
切粒刀数:6~8 刃
粒子尺寸:Φ2~3mm,长 3~4mm
振动筛分:去除粉屑、长条、异形粒
铝塑复合真空袋
避光、干燥、密封
存储条件:25℃以下,湿度<30%
保质期:6 个月
外观:淡红色 / 淡绿色,无黑点、无条纹、无团聚块
荧光:450nm 激发,R/G 峰形正常,无猝灭
分散性:压片无斑点、无团聚
MFR:与基材匹配(PMMA:3~8g/10min)
湿度:<300ppm
老化:85℃/85% RH 500h 亮度衰减<5%